国家/地区 Korea（2）
关键词 SCHOTTKY BARRIER（2）
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作者 PARK K（2）

Negative Fermi-Level Pinning Effect of Metal/n-GaAs(001) Junction Induced by a Graphene Interlayer

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

YOON HH, SONG W, JUNG S, KIM J, MO K, CHOI G, JEONG HY, LEE JH, PARK K

Strong Fermi-Level Pinning at Metal/n-Si(001) Interface Ensured by Forming an Intact Schottky Contact with a Graphene Insertion Layer

NANO LETTERS

YOON HH, JUNG S, CHOI G, KIM J, JEON Y, KIM YS, JEONG HY, KIM K, KWON SY, PARK K