国家/地区 Korea（2）
关键词 HYSTERESI（2）
出版物 SEMICONDUCTOR SCIEN.（2）
出版时间
机构 SEOUL NATL UNIV（2）
作者 JEON T（2）

Pulsed I-V measurement method to obtain hysteresis-free characteristics of graphene FETs

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

PARK JM, LEE D, SHIM J, JEON T, EOM K, PARK BG, LEE JH

Analysis and suppression of drain current drift in graphene FETs

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

PARK JM, LEE D, SHIM J, JEON T, EOM K, PARK BG, LEE JH