国家/地区 Korea（2）
关键词 WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR（2）
出版物 APPLIED PHYSICS LET.（2）
出版时间
机构
作者 KIM H（2）

Horizontally aligned ZnO nanowire transistors using patterned graphene thin films

APPLIED PHYSICS LETTERS

KIM H, PARK JH, SUH M, AHN JR, JU S

Graphene network on indium tin oxide nanodot nodes for transparent and current spreading electrode in InGaN/GaN light emitting diode

APPLIED PHYSICS LETTERS

SEO TH, LEE KJ, OH TS, LEE YS, JEONG H, PARK AH, KIM H, CHOI YR, SUH EK, CUONG TV, PHAM VH, CHUNG JS, KIM EJ