国家/地区 Korea（2）
关键词
出版物
出版时间 2013（2）
机构 GWANGJU INST SCI TECHNOL（2）
作者 KANG SC（2）

Novel multi-bit memory device using metal/PVDF-TrFE/graphene stack

MICROELECTRONIC ENGINEERING

HWANG HJ, YANG JH, KANG SC, CHO C, KANG CG, LEE YG, LEE BH

Ferroelectric polymer-gated graphene memory with high speed conductivity modulation

NANOTECHNOLOGY

HWANG HJ, YANG JH, LEE YG, CHO C, KANG CG, KANG SC, PARK W, LEE BH