国家/地区 Korea（2）
关键词 MEMORY（2）
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机构 JEJU NATL UNIV（2）
作者 KHAN SA（2） KIM WY（2） RAHMAN SA（2）

Characterization of a Ferroelectric-Gated Graphene Memory Device Fabricated on a Flexible Substrate by Transfer Process

JOURNAL OF NANOSCIENCE NANOTECHNOLOGY

KHAN SA, JEONG HS, RAHMAN SA, BAE JH, KIM WY

Effect of sidewall passivation in ferroelectric-gated graphene memory device

MOLECULAR CRYSTALS LIQUID CRYSTALS

KHAN SA, RAHMAN SA, KIM WY