国家/地区 Korea（5）
关键词 GRAPHENE（4） SEMICONDUCTOR（3） DOPING（2）
FIELD EFFECT TRANSI.（2）
出版物 CHEMISTRYA EUROPEAN.（4）
出版时间 2012（5）
机构 SUNGKYUNKWAN UNIV（5）
作者 YOON Y（5）

Highly Air-Stable Phosphorus-Doped n-Type Graphene Field-Effect Transistors

ADVANCED MATERIALS

SOME S, KIM J, LEE K, KULKARNI A, YOON Y, LEE S, KIM T, LEE H

Atomic Dopants Involved in the Structural Evolution of Thermally Graphitized Graphene

CHEMISTRYA EUROPEAN JOURNAL

YOON Y, SEO S, KIM G, LEE H

Synthesis of Highly n-Type Graphene by Using an Ionic Liquid

CHEMISTRYA EUROPEAN JOURNAL

BHUNIA P, HWANG E, YOON Y, LEE E, SEO S, LEE H

Can Commonly Used Hydrazine Produce n-Type Graphene?

CHEMISTRYA EUROPEAN JOURNAL

SOME S, BHUNIA P, HWANG E, LEE K, YOON Y, SEO S, LEE H

n-Type Reduced Graphene Oxide Field-Effect Transistors (FETs) from Photoactive Metal Oxides

CHEMISTRYA EUROPEAN JOURNAL

YOO H, KIM Y, LEE J, LEE H, YOON Y, KIM G, LEE H