国家/地区 Korea（3）
关键词 GRAPHENE（3）
出版物 ACS NANO（3）
出版时间 2011（2）
机构 SAMSUNG ADV .（2）
作者 HEO J（3）

Ultrahigh Gauge Factor in Graphene/MoS2 Heterojunction Field Effect Transistor with Variable Schottky Barrier

ACS NANO

LEE I, KANG WT, SHIN YS, KIM YR, WON UY, KIM K, DUONG DL, LEE K, HEO J, LEE YH, YU WJ

Band Gap Opening by Two-Dimensional Manifestation of Peierls Instability in Graphene

ACS NANO

LEE SH, CHUNG HJ, HEO J, YANG H, SHIN J, CHUNG UI, SEO S

Passivation of Metal Surface States: Microscopic Origin for Uniform Mono layer Graphene by Low Temperature Chemical Vapor Deposition

ACS NANO

JEON I, YANG H, LEE SH, HEO J, SEO DH, SHIN J, CHUNG UI, KIM ZG, CHUNG HJ, SEO S