国家/地区 Sweden（2）
关键词 CONTACT RESISTANCE（2）
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机构
作者 JEPPSON K（2）

The Dependence of the High-Frequency Performance of Graphene Field-Effect Transistors on Channel Transport Properties

IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY

ASAD M, BONMANN M, YANG XX, VOROBIEV A, JEPPSON K, BANSZERUS L, OTTO M, STAMPFER C, NEUMAIER D, STAKE J

A Parameter Extraction Methodology for Graphene Field-Effect Transistors

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

JEPPSON K