国家/地区 Taiwan（2）
关键词 SEMICONDUCTOR DOPING（2）
出版物 APPLIED PHYSICS LET.（2）
出版时间
机构
作者

Electronic structures of an epitaxial graphene monolayer on SiC(0001) after metal intercalation (metal = Al, Ag, Au, Pt, and Pd): A first-principles study

APPLIED PHYSICS LETTERS

HSU CH, LIN WH, OZOLINS V, CHUANG FC

Controllable graphene N-doping with ammonia plasma

APPLIED PHYSICS LETTERS

LIN YC, LIN CY, CHIU PW