国家/地区 Taiwan（3）
关键词 LOW DEFECT（3） GRAPHENE（2） GRAPHENE TRANSISTOR（2）
HIGH MOBILITY（2） RAMAN SPECTRUM（2） THERMAL STABILITY（2）
出版物 VACUUM（2）
出版时间 2017（3）
机构 CHANG GUNG UNIV（3）
作者 LIU B（3）

N-Doped Graphene with Low Intrinsic Defect Densities via a Solid Source Doping Technique

NANOMATERIALS

LIU B, YANG CM, LIU ZW, LAI CS

Reprint of: Improvements on thermal stability of graphene and top gate graphene transistors by Ar annealing

VACUUM

LIU B, CHIU IS, LAI CS

Improvements on thermal stability of graphene and top gate graphene transistors by Ar annealing

VACUUM

LIU B, CHIU IS, LAI CS