国家/地区 Usa（3）
关键词
出版物
出版时间 2012（2）
机构 UNIV FLORIDA（3）
作者 GILA B（3）

Improved Transfer of Graphene for Gated Schottky-Junction, Vertical, Organic, Field-Effect Transistors

ACS NANO

LEMAITRE MG, DONOGHUE EP, MCCARTHY MA, LIU B, TONGAY S, GILA B, KUMAR P, SINGH RK, APPLETON BR, RINZLER AG

Rectification at Graphene-Semiconductor Interfaces: Zero-Gap Semiconductor-Based Diodes

PHYSICAL REVIEW X

TONGAY S, LEMAITRE M, MIAO X, GILA B, APPLETON BR, HEBARD AF

Graphene/GaN Schottky diodes: Stability at elevated temperatures

APPLIED PHYSICS LETTERS

TONGAY S, LEMAITRE M, SCHUMANN T, BERKE K, APPLETON BR, GILA B, HEBARD AF