国家/地区 Usa（3）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LET.（2）
出版时间 2015（2）
机构 UNIV WISCONS.（3）
作者 HUDY LJ（3）

Intrinsic inhomogeneity in barrier height at monolayer graphene/SiC Schottky junction

APPLIED PHYSICS LETTERS

TOMER D, RAJPUT S, HUDY LJ, LI CH, LI L

Inhomogeneity in barrier height at graphene/Si (GaAs) Schottky junctions

NANOTECHNOLOGY

TOMER D, RAJPUT S, HUDY LJ, LI CH, LI L

Carrier transport in reverse-biased graphene/semiconductor Schottky junctions

APPLIED PHYSICS LETTERS

TOMER D, RAJPUT S, HUDY LJ, LI CH, LI L