国家/地区 Usa（2）
关键词 SILICON CARBIDE（2）
出版物
出版时间 2016（2）
机构
作者

SiC Homoepitaxy, Etching and Graphene Epitaxial Growth on SiC Substrates Using a Novel Fluorinated Si Precursor Gas (SiF4)

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

RANA T, CHANDRASHEKHAR MVS, DANIELS K, SUDARSHAN T

Rotationally Commensurate Growth of MoS2 on Epitaxial Graphene

ACS NANO

LIU XL, BALLA I, BERGERON H, CAMPBELL GP, BEDZYK MJ, HERSAM MC