国家/地区 Usa（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
出版物 APPLIED PHYSICS LET.（2）
出版时间 2010（2）
机构
作者 ZHU J（2）

Unusual resistance hysteresis in n-layer graphene field effect transistors fabricated on ferroelectric Pb(Zr0.2Ti0.8)O-3

APPLIED PHYSICS LETTERS

HONG X, HOFFMAN J, POSADAS A, ZOU K, AHN CH, ZHU J

The effect of traps on the performance of graphene field-effect transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS

ZHU J, JHAVERI R, WOO JCS