国家/地区 Usa（2）
关键词 NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE（2）
出版物
出版时间 2015（2）
机构 UNIV TEXAS AUSTIN（2）
作者 BANERJEE SK（2） FALLAHAZAD B（2） KANG S（2） KIM K（2）
LEE K（2） REGISTER LF（2） TANIGUCHI T（2） TUTUC E（2）
WATANABE K（2）

Bilayer Graphene-Hexagonal Boron Nitride Heterostructure Negative Differential Resistance Interlayer Tunnel FET

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

KANG S, FALLAHAZAD B, LEE K, MOVVA H, KIM K, CORBET CM, TANIGUCHI T, WATANABE K, COLOMBO L, REGISTER LF, TUTUC E, BANERJEE SK

Gate-Tunable Resonant Tunneling in Double Bilayer Graphene Heterostructures

NANO LETTERS

FALLAHAZAD B, LEE K, KANG S, XUE JM, LARENTIS S, CORBET C, KIM K, MOVVA HCP, TANIGUCHI T, WATANABE K, REGISTER LF, BANERJEE SK, TUTUC E