国家/地区 Usa（4）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LET.（2）
出版时间 2011（2） 2012（2）
机构 UNIV FLORIDA（4）
作者 LEMAITRE M（4）

Drawing graphene nanoribbons on SiC by ion implantation

APPLIED PHYSICS LETTERS

TONGAY S, LEMAITRE M, FRIDMANN J, HEBARD AF, GILA BP, APPLETON BR

Rectification at Graphene-Semiconductor Interfaces: Zero-Gap Semiconductor-Based Diodes

PHYSICAL REVIEW X

TONGAY S, LEMAITRE M, MIAO X, GILA B, APPLETON BR, HEBARD AF

Stable hole doping of graphene for low electrical resistance and high optical transparency

NANOTECHNOLOGY

TONGAY S, BERKE K, LEMAITRE M, NASROLLAHI Z, TANNER DB, HEBARD AF, APPLETON BR

Graphene/GaN Schottky diodes: Stability at elevated temperatures

APPLIED PHYSICS LETTERS

TONGAY S, LEMAITRE M, SCHUMANN T, BERKE K, APPLETON BR, GILA B, HEBARD AF