国家/地区 Usa（2）
关键词 F MAX（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2）
出版时间 2013（2）
机构
作者

Multifinger Embedded T-Shaped Gate Graphene RF Transistors With High f(MAX)/f(T) Ratio

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HAN SJ, OIDA S, JENKINS KA, LU D, ZHU Y

Graphene FETs for Zero-Bias Linear Resistive FET Mixers

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

MOON JS, SEO HC, ANTCLIFFE M, LE D, MCGUIRE C, SCHMITZ A, NYAKITI LO, GASKILL DK, CAMPBELL PM, LEE KM, ASBECK P