国家/地区 Usa（2）
关键词
出版物 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS（2）
出版时间
机构 CARNEGIE MEL.（2）
作者 FEENSTRA RM（2）

Formation of a Buffer Layer for Graphene on C-Face SiC{0001}

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

HE GW, SRIVASTAVA N, FEENSTRA RM

Temperature Dependence of Epitaxial Graphene Formation on SiC(0001)

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

LUXMI, NIE S, FISHER PJ, FEENSTRA RM, GU G, SUN YG