国家/地区 Usa（2）
关键词 SILICON CARBIDE（2）
出版物 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS（2）
出版时间
机构
作者

Temperature Dependence of Epitaxial Graphene Formation on SiC(0001)

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

LUXMI, NIE S, FISHER PJ, FEENSTRA RM, GU G, SUN YG

SiC Homoepitaxy, Etching and Graphene Epitaxial Growth on SiC Substrates Using a Novel Fluorinated Si Precursor Gas (SiF4)

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

RANA T, CHANDRASHEKHAR MVS, DANIELS K, SUDARSHAN T