| 国家/地区 | Usa（4） China（2） Singapore（2） |
| 关键词 |
HETEROJUNCTION（9）
|
| 出版物 | IEEE ELECTRON DEVIC.（2） |
| 出版时间 |
2012（9）
|
| 机构 | NATL UNIV SI.（2） |
| 作者 |
CHIN SK（2）
DA HX（2）
LAM KT（2）
LIANG GC（2）
|
NANO LETTERS
HOU Y, ZUO F, DAGG A, FENG PY
Influence of contact doping on graphene nanoribbon heterojunction tunneling field effect transistors
SOLIDSTATE ELECTRONICS
DA HX, LAM KT, SAMUDRA GS, LIANG GC, CHIN SK
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
ANDERSON TJ, HOBART KD, NYAKITI LO, WHEELER VD, MYERSWARD RL, CALDWELL JD, BEZARES FJ, JERNIGAN GG, TADJER MJ, IMHOFF EA, KOEHLER AD, GASKILL DK, EDDY CR, KUB FJ
CHINESE SCIENCE BULLETIN
LING CC, XUE QZ, JING NN
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
SHANMUGAM M, BANSAL T, DURCAN CA, YU B
DIAMOND RELATED MATERIALS
MIN YL, ZHANG K, CHEN LH, CHEN YC, ZHANG YG
NANOSCALE RESEARCH LETTERS
MOHAMMED M, LI ZR, CUI JB, CHEN TP
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
DA HX, LAM KT, SAMUDRA G, CHIN SK, LIANG GC
ACS NANO
BLANKENBURG S, CAI JM, RUFFIEUX P, JAAFAR R, PASSERONE D, FENG XL, MULLEN K, FASEL R, PIGNEDOLI CA