国家/地区 Singapore（2）
关键词 MEMORY DEVICE（2）
出版物
出版时间 2013（2）
机构 NANYANG TECH.（2）
作者 ZHANG H（2）

Memory Devices Using a Mixture of MoS2 and Graphene Oxide as the Active Layer

SMALL

YIN ZY, ZENG ZY, LIU JQ, HE QY, CHEN P, ZHANG H

Fabrication of Flexible, All-Reduced Graphene Oxide Non-Volatile Memory Devices

ADVANCED MATERIALS

LIU JQ, YIN ZY, CAO XH, ZHAO F, WANG LH, HUANG W, ZHANG H