国家/地区 Taiwan（3）
关键词 SI（4）
出版物 APPLIED SURFACE SCI.（2）
出版时间 2014（4）
机构 NATL CHANGHU.（3）
作者 LIN YJ（3） LIN JH（2） ZENG JJ（2）

Determination of Schottky barrier heights and Fermi-level unpinning at the graphene/n-type Si interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy and Kelvin probe

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