国家/地区 Japan（2）
关键词
出版物
出版时间 2016（2）
机构 TOHOKU UNIV（2）
作者 SATOU A（2）

A Fitting Model for Asymmetric I-V Characteristics of Graphene FETs for Extraction of Intrinsic Mobilities

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

SATOU A, TAMAMUSHI G, SUGAWARA K, MITSUSHIO J, RYZHII V, OTSUJI T

Giant plasmon instability in a dual-grating-gate graphene field-effect transistor

PHYSICAL REVIEW B

KOSEKI Y, RYZHII V, OTSUJI T, POPOV VV, SATOU A