国家/地区 Usa（3）
关键词 EPITAXIAL GRAPHENE（2）
出版物
出版时间 2014（3）
机构 GEORGIA INST TECHNOL（3）
作者 HANKINSON J（3）

Planar Edge Schottky Barrier-Tunneling Transistors Using Epitaxial Graphene/SiC Junctions

NANO LETTERS

KUNC J, HU YK, PALMER J, GUO ZL, HANKINSON J, GAMAL SH, BERGER C, DE HEER WA

Controlled epitaxial graphene growth within removable amorphous carbon corrals

APPLIED PHYSICS LETTERS

PALMER J, KUNC J, HU YK, HANKINSON J, GUO ZL, BERGER C, DE HEER WA

Wafer bonding solution to epitaxial graphene-silicon integration

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

DONG R, GUO ZL, PALMER J, HU YK, RUAN M, HANKINSON J, KUNC J, BHATTACHARYA SK, BERGER C, DE HEER WA