国家/地区 Korea（2）
关键词 FIELDEFFECT TRANSISTOR（2）
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机构 GWANGJU INST SCI TECHNOL（2）
作者

High-pressure oxygen annealing of Al2O3 passivation layer for performance enhancement of graphene field-effect transistors

NANOTECHNOLOGY

KIM YJ, KIM SM, HEO S, LEE H, LEE HI, CHANG KE, LEE BH

A macroscopic model for vertical graphene-organic semiconductor heterojunction field-effect transistors

ORGANIC ELECTRONICS

KIM CH, HLAING H, KYMISSIS I