国家/地区 China（3）
关键词
出版物
出版时间 2016（3）
机构 HEBEI SEMICOND RES INST（3）
作者 WANG JJ（3）

Comparative Study of Monolayer and Bilayer Epitaxial Graphene Field-Effect Transistors on SiC Substrates

CHINESE PHYSICS LETTERS

HE ZZ, YANG KW, YU C, LIU QB, WANG JJ, SONG XB, HAN TT, FENG ZH, CAI SJ

High temperature characteristics of bilayer epitaxial graphene field-effect transistors on SiC Substrate

CHINESE PHYSICS B

HE ZZ, YANG KW, YU C, LIU QB, WANG JJ, LI J, LU WL, FENG ZH, CAI SJ

Epitaxial Graphene on Sapphire Substrate by Chemical Vapor Deposition

ACTA PHYSICOCHIMICA SINICA

LIU QB, YU C, HE ZZ, WANG JJ, LI J, LU WL, FENG ZH