国家/地区 China（2）
关键词 ELECTRONIC STRUCTURE（2）
出版物
出版时间 2018（2）
机构 HENAN NORMAL UNIV（2）
作者 ZHANG F（2）

Strain effects on the Schottky contacts of graphene and MoSe2 heterobilayers

PHYSICA ELOWDIMENSIONAL SYSTEMS NANOSTRUCTURES

ZHANG F, LI W, MA YQ, DAI XQ

Schottky barrier tuning of the graphene/SnS2 van der Waals heterostructures through electric field

SOLID STATE COMMUNICATIONS

ZHANG F, LI W, MA YQ, DAI XQ