国家/地区 China（4）
关键词 ELECTRICAL PROPERTI.（2） GRAPHENE（2） RAMAN（2）
SEMICONDUCTOR（2）
出版物 APPLIED PHYSICS LET.（2） MATERIALS LETTERS（2）
出版时间 2014（3）
机构 LANZHOU UNIV（4）
作者 CHEN D（4）

Graphene film synthesis on SiGe semiconductor substrate for field-effect transistor

MATERIALS LETTERS

CHEN D, WANG G, LI JH, GUO QL, YE L, ZHOU HJ, ZHENG L, ZHANG M, LIU S

Direct growth of single-layer graphene on Ni surface manipulated by Si barrier

APPLIED PHYSICS LETTERS

WANG G, LI JH, CHEN D, ZHENG L, ZHENG XH, GUO QL, WEI X, DING GQ, ZHANG M, DI ZF, LIU S

Growth of homogeneous single-layer graphene on Ni-Ge binary substrate

APPLIED PHYSICS LETTERS

WANG G, CHEN D, LU ZT, GUO QL, YE L, WEI X, DING GQ, ZHANG M, DI ZF, LIU S

Growth of controlled thickness graphene by ion implantation for field-effect transistor

MATERIALS LETTERS

WANG G, DING GQ, ZHU Y, CHEN D, YE L, ZHENG L, ZHANG M, DI ZF, LIU S