国家/地区 Korea（2）
关键词 GRAPHENE FET（2）
出版物 SEMICONDUCTOR SCIEN.（2）
出版时间
机构 SEOUL NATL UNIV（2）
作者 LEE JH（2）

Pulsed I-V measurement method to obtain hysteresis-free characteristics of graphene FETs

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

PARK JM, LEE D, SHIM J, JEON T, EOM K, PARK BG, LEE JH

Analysis and suppression of drain current drift in graphene FETs

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

PARK JM, LEE D, SHIM J, JEON T, EOM K, PARK BG, LEE JH