国家/地区 China（3）
关键词
出版物 NANOSCALE（2）
出版时间 2011（2）
机构 SHANDONG UNIV（3）
作者 GUO M（3）

Graphene-diamond interface: Gap opening and electronic spin injection

PHYSICAL REVIEW B

MA YD, DAI Y, GUO M, HUANG BB

Strain-induced magnetic transitions in half-fluorinated single layers of BN, GaN and graphene

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