国家/地区 Korea（2）
关键词 GRAPHENE（2）
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机构 UNIST（2）
作者 JUNG S（2）

Formation of graphene on amorphous SiC film by surface-confined heating with electron beam irradiation

CURRENT APPLIED PHYSICS

JIN H, LEE JY, KIM J, JUNG S, MO K, PARK K

Strong Fermi-Level Pinning at Metal/n-Si(001) Interface Ensured by Forming an Intact Schottky Contact with a Graphene Insertion Layer

NANO LETTERS

YOON HH, JUNG S, CHOI G, KIM J, JEON Y, KIM YS, JEONG HY, KIM K, KWON SY, PARK K