国家/地区 Korea（2）
关键词 GRAPHENE（2）
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机构 UNIST（2）
作者 KIM K（2）

Strong Fermi-Level Pinning at Metal/n-Si(001) Interface Ensured by Forming an Intact Schottky Contact with a Graphene Insertion Layer

NANO LETTERS

YOON HH, JUNG S, CHOI G, KIM J, JEON Y, KIM YS, JEONG HY, KIM K, KWON SY, PARK K

Highly Transparent and Stretchable Field-Effect Transistor Sensors Using Graphene-Nanowire Hybrid Nanostructures

ADVANCED MATERIALS

KIM J, LEE MS, JEON S, KIM M, KIM S, KIM K, BIEN F, HONG SY, PARK JU