国家/地区
关键词 VAN DER WAALS HETEROSTRUCTURE（2）
出版物 ACS NANO（2）
出版时间 2019（2）
机构
作者

Ultrahigh Gauge Factor in Graphene/MoS2 Heterojunction Field Effect Transistor with Variable Schottky Barrier

ACS NANO

LEE I, KANG WT, SHIN YS, KIM YR, WON UY, KIM K, DUONG DL, LEE K, HEO J, LEE YH, YU WJ

Maximizing the Current Output in Self-Aligned Graphene-InAs-Metal Vertical Transistors

ACS NANO

LIU Y, GUO J, ZHU EB, WANG PQ, GAMBIN V, HUANG Y, DUAN XF