国家/地区 France（3）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（3）
出版时间 2010（3）
机构 CNRS（2）
作者 PORTAIL M（3）

Direct growth of few-layer graphene on 6H-SiC and 3C-SiC/Si via propane chemical vapor deposition

APPLIED PHYSICS LETTERS

MICHON A, VEZIAN S, OUERGHI A, ZIELINSKI M, CHASSAGNE T, PORTAIL M

Structural coherency of epitaxial graphene on 3C-SiC(111) epilayers on Si(111)

APPLIED PHYSICS LETTERS

OUERGHI A, BELKHOU R, MARANGOLO M, SILLY MG, EL MOUSSAOUI S, EDDRIEF M, LARGEAU L, PORTAIL M, SIROTTI F

Epitaxial graphene on cubic SiC(111)/Si(111) substrate

APPLIED PHYSICS LETTERS

OUERGHI A, KAHOULI A, LUCOT D, PORTAIL M, TRAVERS L, GIERAK J, PENUELAS J, JEGOU P, SHUKLA A, CHASSAGNE T, ZIELINSKI M