国家/地区 China（654）
关键词 GRAPHENE（46） NANOSTRUCTURED MATE.（8） DENSITY FUNCTIONAL .（7）
GREEN S FUNCTION ME.（7） AB INITIO CALCULATI.（5） ELEMENTAL SEMICONDU.（5）
ENERGY GAP（5） ADSORPTION（4） DOPING（4）
ELECTRICAL CONDUCTI.（4） ELECTRONIC STRUCTUR.（4） FERMI LEVEL（4）
MONOLAYER（4） FIELD EFFECT TRANSI.（3） NONLINEAR OPTIC（3）
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（654）
出版时间 2012（96） 2014（92） 2013（90） 2011（66） 2016（47） 2015（43） 2017（43） 2010（28） 2022（26） 2018（25） 2019（21） 2009（19） 2021（16） 2020（14） 2023（12） 2008（10） 2007（6）
机构 CHINESE ACAD.（108） TSINGHUA UNI.（46） PEKING UNIV（43） NANJING UNIV（23）
UNIV SCI TE.（18） CITY UNIV HO.（15） UNIV ELECT S.（15） ZHEJIANG UNI.（15）
FUDAN UNIV（12） HUNAN UNIV（12） NANKAI UNIV（12） XIANGTAN UNI.（12）
HUAZHONG UNI.（9） SOUTHEAST UN.（9） XI AN JIAO T.（9） BEIJING NORM.（8）
HARBIN INST .（8） SOOCHOW UNIV（8） FUZHOU UNIV（7） SHANDONG UNI.（7）
作者 ZHANG Y（26） GAO HJ（20） WANG L（18） YU DP（14）
CHEN KQ（13） LI J（13） LIU XY（13） WANG Q（13）
WANG Y（13） WANG YL（13） ZHANG ZY（13） DU SX（12）
LIU Y（12） REN TL（12） HUANG L（11） WANG C（10）
YANG Y（10） ZHANG X（10） ZHONG JX（10） LI P（9）

Monolayer goldene intercalated in graphene layers

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Graphene-induced crystal-healing of AlN film by thermal annealing for deep ultraviolet light-emitting diodes

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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy (vol 117, 051601, 2020)

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Photodoping of graphene/silicon van der Waals heterostructure observed by terahertz emission spectroscopy

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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy

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CHEN Y, ZANG H, JIANG K, BEN JW, ZHANG SL, SHI ZM, JIA YP, LU W, SUN XJ, LI DB