国家/地区 China（2）
关键词
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2）
出版时间 2020（2）
机构 CHINESE ACAD SCI（2）
作者 LI DB（2）

Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy (vol 117, 051601, 2020)

APPLIED PHYSICS LETTERS

CHEN Y, ZANG H, JIANG K, BEN JW, ZHANG SL, SHI ZM, JIA YP, LU W, SUN XJ, LI DB

Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy

APPLIED PHYSICS LETTERS

CHEN Y, ZANG H, JIANG K, BEN JW, ZHANG SL, SHI ZM, JIA YP, LU W, SUN XJ, LI DB