国家/地区 China（2）
关键词 EPITAXIAL GRAPHENE（2）
出版物 CHINESE PHYSICS B（2）
出版时间 2016（2）
机构
作者

High temperature characteristics of bilayer epitaxial graphene field-effect transistors on SiC Substrate

CHINESE PHYSICS B

HE ZZ, YANG KW, YU C, LIU QB, WANG JJ, LI J, LU WL, FENG ZH, CAI SJ

A self-powered sensitive ultraviolet photodetector based on epitaxial graphene on silicon carbide

CHINESE PHYSICS B

HUANG J, GUO LW, LU W, ZHANG YH, SHI Z, JIA YP, LI ZL, YANG JW, CHEN HX, MEI ZX, CHEN XL