国家/地区 Korea（2）
关键词
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2）
出版时间 2018（2）
机构
作者

Ternary Full Adder Using Multi-Threshold Voltage Graphene Barristors

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HEO S, KIM S, KIM K, LEE H, KIM SY, KIM YJ, KIM SM, LEE HI, LEE S, KIM KR, KANG S, LEE BH

Effect of Microwave Annealing on Transparent In-Ga-ZnO Thin-Film Transistors With Graphene Source and Drain Electrodes

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HONG EK, CHO WJ