国家/地区 Usa（2）
关键词 SI MOSFET（2）
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2）
出版时间
机构 HRL LABS LLC（2）
作者 HU M（2）

Top-Gated Epitaxial Graphene FETs on Si-Face SiC Wafers With a Peak Transconductance of 600 mS/mm

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

MOON JS, CURTIS D, BUI S, HU M, GASKILL DK, TEDESCO JL, ASBECK P, JERNIGAN GG, VANMIL BL, MYERSWARD RL, EDDY CR, CAMPBELL PM, WENG X

Epitaxial-Graphene RF Field-Effect Transistors on Si-Face 6H-SiC Substrates

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

MOON JS, CURTIS D, HU M, WONG D, MCGUIRE C, CAMPBELL PM, JERNIGAN G, TEDESCO JL, VANMIL B, MYERSWARD R, EDDY C, GASKILL DK