国家/地区 China（2）
关键词
出版物 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（2）
出版时间
机构 FUDAN UNIV（2）
作者 HU GX（2）

An analytical drain current model for graphene nanoribbon tunnel field-effect transistors

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

BAO JR, HU SY, HU GX, HU LG, LIU R, ZHENG LR

Quasi-ballistic transport model for top- and back-gated graphene nanoribbon field-effect transistors

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

HU SY, HU GX, WANG LL, LIU R, ZHENG LR