国家/地区 Singapore（3）
关键词
出版物 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（3）
出版时间 2010（2）
机构 NATL UNIV SINGAPORE（3）
作者 LAM KT（2） LIANG GC（2）

Band-Bending at the Graphene-SiC Interfaces: Effect of the Substrate

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

CHEN W, CHEN S, NI ZH, HUANG H, QI DC, GAO XY, SHEN ZX, WEE ATS

Effect of Ribbon Width and Doping Concentration on Device Performance of Graphene Nanoribbon Tunneling Field-Effect Transistors

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

LAM KT, CHIN SK, SEAH DW, KUMAR SB, LIANG GC

A Computational Study on the Device Performance of Graphene Nanoribbon Resonant Tunneling Diodes

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

TEONG HS, LAM KT, LIANG GC