国家/地区 Germany（2）
关键词
出版物 JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS（2）
出版时间
机构
作者 FROMM F（2）

Quasi-freestanding epitaxial graphene transistor with silicon nitride top gate

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

WEHRFRITZ P, FROMM F, MALZER S, SEYLLER T

Implanted bottom gate for epitaxial graphene on silicon carbide

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

WALDMANN D, JOBST J, FROMM F, SPECK F, SEYLLER T, KRIEGER M, WEBER HB