国家/地区 Korea（2）
关键词 GRAPHENE FET（2） HYSTERESI（2） PULSED IV（2）
出版物 SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY（2）
出版时间
机构 SEOUL NATL UNIV（2）
作者 EOM K（2） JEON T（2） LEE D（2） LEE JH（2）
PARK BG（2） PARK JM（2） SHIM J（2）

Pulsed I-V measurement method to obtain hysteresis-free characteristics of graphene FETs

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

PARK JM, LEE D, SHIM J, JEON T, EOM K, PARK BG, LEE JH

Analysis and suppression of drain current drift in graphene FETs

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

PARK JM, LEE D, SHIM J, JEON T, EOM K, PARK BG, LEE JH