国家/地区 中国（4）
IPC部 C（4） B（2） H（2）
IPC大类 C01（4） C07（3） B82（2）
H01（2）
IPC小类 C01B（4） B82Y（2） C07C（2）
H01L（2）
IPC C01B031/02（4） C01B031/04（4） B82Y030/00（2）
B82Y040/00（2） C07C025/22（2） H01L051/50（2）
发明人 CAI J（3） FASEL R（3） FENG X（3）
MUELLEN K（3） MULLEN K（3） RUFFIEUX P（3）
TSAI J（3） HINTERMANN T（2） MILLEN K（2）
公开年 2014（3）
申请年 2013（4）
专利权人 BASF SE（4）

Edge-halogenation of graphene material used for electronic/optical/optoelectronic device involves reacting graphene material e.g. graphene, graphene nanoribbon, and/or graphene molecule with halogen-donor compound in presence of Lewis acid.

HINTERMANN T, MUELLEN K, FENG X, TAN Y, MULLEN K, TAN Y Z

New oligophenylene monomer useful in polymeric precursor for preparing graphene nanoribbons that used are in thin film semiconductor of electronic, optical, or optoelectronic device e.g. organic field effect transistor device.

MUELLEN K, FENG X, CAI J, RUFFIEUX P, FASEL R, NARITA A, TSAI J, MULLEN K, MILLEN K

Preparing graphene nanoribbons involves providing aromatic monomer compound, e.g. polycyclic aromatic monomer, on a solid substrate, polymerization of the aromatic monomer compound, at least partially cyclodehydrogenating.

HINTERMANN T, FASEL R, RUFFIEUX P, JINMING C, SANCHEZ VALENCIA J R, CAI J, VALENCIA J R S, SANCHEZ V J R, SANCHEZ V J, TSAI J

Graphene nanoribbon used for e.g. spintronic device, contains repeating unit having modification(s) chosen from heteroatomic substitution, vacancy, stone-wales defect, inverse stone-wales defect, and hybridized carbon network.

FASEL R, RUFFIEUX P, MUELLEN K, CAI J, FENG X, BERGER R, TSAI J, CAI Y, MULLEN K, MILLEN K