国家/地区 中国（4）
IPC部 C（4） B（3） H（2）
IPC大类 C01（4） C07（4） B82（3）
C08（3） H01（2）
IPC小类 C01B（4） B82Y（3） C07C（3）
C08G（3） C07B（2） C08L（2）
IPC C01B031/04（4） B82Y030/00（3） B82Y040/00（3）
C01B031/02（3） C07C015/14（3） C08G061/10（3）
C07B037/12（2） C07C002/50（2） C07C017/30（2）
C07C025/18（2） C08L065/00（2）
发明人 FENG X（4） MUELLEN K（4） MULLEN K（4）
MILLEN K（3） SCHVAB M G（3） SCHWAB M G（3）
SCHWAB M G S（3）
公开年 2013（4）
申请年 2012（3） 
专利权人 BASF CHINA CO LTD（4）

Graphene nanoribbon used for e.g. spintronic device, contains repeating unit having modification(s) chosen from heteroatomic substitution, vacancy, stone-wales defect, inverse stone-wales defect, and hybridized carbon network.

FASEL R, RUFFIEUX P, MUELLEN K, CAI J, FENG X, BERGER R, TSAI J, CAI Y, MULLEN K, MILLEN K

New oligophenylene monomer useful for preparing a polymeric precursor for producing graphene nanoribbons useful in an electronic, optical, or optoelectronic device.

SCHWAB M G, NARITA A, FENG X, MUELLEN K, MULLEN K, SCHWAB M G S, SCHVAB M G, MILLEN K

New oligophenylene monomers, useful for synthesizing polymeric precursors for preparing graphene nanoribbons.

IVANOVICI S, SCHWAB M G S, FENG X, MUELLEN K, SCHWAB M G, MULLEN K, KLAUS M, SCHVAB M G, SCHWAB M, MILLEN K

New graphene nanoribbon precursors comprising polycyclic aromatic hydrocarbon repeat units, used in graphene nanoribbons for field-effect transistors.

SCHWAB M G S, MUELLEN K, FENG X, DOESSEL L, SCHWAB M G, MULLEN K, DOSSEL L, SCHVAB M G