国家/地区 中国（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C30（2） H01（2）
IPC小类 C30B（2） H01L（2）
IPC C30B025/18（2） C30B029/40（2） H01L021/02（2）
发明人 FENG H（2） PAN Y（2） TANG J（2）
公开年 2022（2）
申请年 2021（2）
专利权人 CEC COMPOUND SEMICONDUCTOR CO LTD（2）

Preparation of gallium nitride epitaxial structure by providing a silicon carbide substrate, pre-processing, growing a graphene film, growing diamond film, growing aluminum nitride polycrystalline film, and annealing.

PAN Y, FENG H, TANG J

Preparing epitaxial structure for gallium nitride-based radio frequency device, comprises e.g. performing surface cleaning treatment, annealing the silicon carbide substrate to produce graphene film, growing indium-galliun-nitride-aluminum-gallium-nitride barrier layer.

PAN Y, FENG H, TANG J