国家/地区 韩国（2）
IPC部 B（2）
IPC大类 B82（2）
IPC小类 B82B（2）
IPC B82B001/00（2） B82B003/00（2）
发明人 HAN T H（2） KIM J E（2） KIM S O（2）
公开年 2011（2）
申请年 2010（2）
专利权人 KOREA ADVANCED INST SCI TECHNOLOGY（2）

Method for manufacturing e.g. graphene antidot lattice that is utilized for device fabrication, involves forming self-assembled nanostructure, and etching graphene thin film from nanostructure, where graphene thin film is utilized as mask.

KIM S O, KIM J Y, CHOI S Y, KIM J E, JEONG S J, HAN T H

Three-dimensional nanostructure used for field-emitting device, is obtained by laminating graphene film and nano-material chosen from nanowires, nanotubes, nanorods, nanoneedles and nanoparticles.

KIM S O, LEE W J, LEE D H, HAN T H, KIM J E, LEE J A, LEE K J