国家/地区 韩国（2） 美国（2）
IPC部 B（2） C（2）
IPC大类
IPC小类
IPC
发明人 LEE D（2）
公开年 2014（2）
申请年 2013（2） 
专利权人 LEE D（2）

Nanosensor, has insulating layer provided with pore, and marker element arranged adjacent to graphene layer and identifies position of graphene layer that is arranged on insulating layer.

JEON T, LEE J, SHIM J, LEE D, EOM K, JEONG H, JEON T H, LEE J H, SHIM J Y, LEE D H, EOM K S, JEONG H J

Fabricating single-layer graphene on silicon carbide wafer used as channels of field-effect transistor array, comprises disposing graphene layers on carbon buffer layer of wafer, and converting buffer layer to single-layer graphene.

WOO Y, YOON S, SHIN H, LEE D, CHOI J, WOO Y S, YOON S M, SHIN H J, LEE D W, CHOI J Y