国家/地区 中国（2） 韩国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（2） H（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人 MOON J（2）
公开年
申请年
专利权人 LG ELECTRONICS INC（2）

Doping method of graphene for manufacturing graphene composite electrode and graphene structure, involves forming precursor polymer layer for doping on substrate, and positioning graphene on substrate.

MOON J, PARK W, PARK S, JO I, HONG B, SAN MOON J, SU C I, BAE P W, BEOM P S, HUI H B, ZHENSHAN W, WONBAE P, SUBEOM P, INSU J, BYUNGHEE H

Formation of graphene for electronic device, involves forming graphene layer on catalytic metal layer, forming organic-inorganic hybrid film in uncured state on graphene layer, and curing.

MOON J, JUNG K, KANG E, KANG O, JEONG G, KANG E S