国家/地区 美国（2）
IPC部 H（2）
IPC大类 H01（2）
IPC小类 H01L（2）
IPC H01L029/16（2） H01L029/66（2） H01L029/778（2）
H01L029/786（2）
发明人
公开年
申请年 2013（2）
专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC（2）

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Forming method of switch has electrically conductive structures which impart electric field across graphene structure coupled to top electrode and bottom electrode.

SANDHU G S